창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-W79E632A40PL,B,1E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | W79E632A40PL,B,1E | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | PLCC | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | W79E632A40PL,B,1E | |
| 관련 링크 | W79E632A40, W79E632A40PL,B,1E 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | 26221C | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 660mA 730 mOhm Max Nonstandard | 26221C.pdf | |
![]() | ERJ-6ENF16R9V | RES SMD 16.9 OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF16R9V.pdf | |
![]() | RC0603DR-07130KL | RES SMD 130K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RC0603DR-07130KL.pdf | |
![]() | SI7738DP-T1 | SI7738DP-T1 VISHAY QFN-8 | SI7738DP-T1.pdf | |
![]() | K4T51163QC-ZC DDR2 512M | K4T51163QC-ZC DDR2 512M SAM BGA | K4T51163QC-ZC DDR2 512M.pdf | |
![]() | AGN2004H M01 | AGN2004H M01 NAIS DIP-8 | AGN2004H M01.pdf | |
![]() | MB90F549GPFV-G | MB90F549GPFV-G FUJITSU QFP | MB90F549GPFV-G.pdf | |
![]() | RKC79H07019C2012F1C2 | RKC79H07019C2012F1C2 TDK SMD or Through Hole | RKC79H07019C2012F1C2.pdf | |
![]() | 22CV10 | 22CV10 ICT/AMI DIP | 22CV10.pdf | |
![]() | TC55464AP-17 | TC55464AP-17 TOSHIBA DIP-24 | TC55464AP-17.pdf |