창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VUO50-08NO3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VUO 50 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 3상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 800V | |
전류 - DC 순방향(If) | 58A | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | FO-F-B | |
공급 장치 패키지 | FO-F-B | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | Q1945209 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VUO50-08NO3 | |
관련 링크 | VUO50-, VUO50-08NO3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | LTR18EZPF5760 | RES SMD 576 OHM 3/4W 1206 WIDE | LTR18EZPF5760.pdf | |
![]() | CD18200C12NC | PES M18 200MM NC AC 2.0M | CD18200C12NC.pdf | |
![]() | AR8021-BL1E | AR8021-BL1E ATHEROS SMD or Through Hole | AR8021-BL1E.pdf | |
![]() | MB811AZ | MB811AZ FUJ DIP | MB811AZ.pdf | |
![]() | MP788 | MP788 GI SMD or Through Hole | MP788.pdf | |
![]() | TC7109CPL DIP | TC7109CPL DIP Microchip DIP | TC7109CPL DIP.pdf | |
![]() | K4M51323LC-DN75TJR | K4M51323LC-DN75TJR Samsung FBGA | K4M51323LC-DN75TJR.pdf | |
![]() | C2012Y5V1C106ZT000 | C2012Y5V1C106ZT000 TDK SMD or Through Hole | C2012Y5V1C106ZT000.pdf | |
![]() | XCV2000E-6F9680C | XCV2000E-6F9680C ORIGINAL SMD or Through Hole | XCV2000E-6F9680C.pdf | |
![]() | MAX1954EUB-T TEL:82766440 | MAX1954EUB-T TEL:82766440 MAX SMD or Through Hole | MAX1954EUB-T TEL:82766440.pdf | |
![]() | DS1235YW150 | DS1235YW150 DS DIP | DS1235YW150.pdf |