창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VUO162-16NO7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VUO120-16NO2T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 브리지 정류기 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 3상 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 1600V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 175A | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | V2-PAK | |
| 공급 장치 패키지 | PWS-E 평면 | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VUO162-16NO7 | |
| 관련 링크 | VUO162-, VUO162-16NO7 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MKT1818310634G | 10000pF Film Capacitor 220V 630V Polyester, Metallized Radial | MKT1818310634G.pdf | |
![]() | MP115 | MP115 MP SMD or Through Hole | MP115.pdf | |
![]() | RA20H8994M-101 | RA20H8994M-101 ORIGINAL H2S | RA20H8994M-101.pdf | |
![]() | C2012X7R1H152KT000N | C2012X7R1H152KT000N TDK SMD or Through Hole | C2012X7R1H152KT000N.pdf | |
![]() | Q2C225035K00DE3 | Q2C225035K00DE3 VISHAY DIP | Q2C225035K00DE3.pdf | |
![]() | AM2966DM | AM2966DM AMD DIP | AM2966DM.pdf | |
![]() | V1D2GHNB-00000-000 | V1D2GHNB-00000-000 APEM/WSI SMD or Through Hole | V1D2GHNB-00000-000.pdf | |
![]() | MM1504XNREG | MM1504XNREG MITSUMI SOT23 | MM1504XNREG.pdf | |
![]() | BLA31DD102SN4D | BLA31DD102SN4D MURATA SMD or Through Hole | BLA31DD102SN4D.pdf | |
![]() | D78218ACW-671 | D78218ACW-671 NEC DIP64 | D78218ACW-671.pdf | |
![]() | CBT16212DL | CBT16212DL PHILIPS SSOP567.2MM | CBT16212DL.pdf | |
![]() | PSLC0J157M | PSLC0J157M NEC SMD or Through Hole | PSLC0J157M.pdf |