창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VT1609 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | VT1609 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | VT1609 | |
| 관련 링크 | VT1, VT1609 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | TLJR106M010R3000 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 10V 0805 (2012 Metric) 3 Ohm 0.081" L x 0.051" W (2.05mm x 1.30mm) | TLJR106M010R3000.pdf | |
![]() | MA-506 28.6360M-C0:(30T):ROHS | 28.636MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 28.6360M-C0:(30T):ROHS.pdf | |
![]() | 416F36023ATR | 36MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36023ATR.pdf | |
![]() | BSO080P03S H | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | BSO080P03S H.pdf | |
![]() | AC82023S36-QV67ES | AC82023S36-QV67ES INTEL BGA | AC82023S36-QV67ES.pdf | |
![]() | HMC149S14TR | HMC149S14TR HITTITE SOP | HMC149S14TR.pdf | |
![]() | TG35-1505N1RL | TG35-1505N1RL HALO SOP16 | TG35-1505N1RL.pdf | |
![]() | 216M6TGDFA22E | 216M6TGDFA22E ATI SMD or Through Hole | 216M6TGDFA22E.pdf | |
![]() | 18125G105MAT2A | 18125G105MAT2A AVX SMD or Through Hole | 18125G105MAT2A.pdf | |
![]() | RC2010JR-07 5K1L | RC2010JR-07 5K1L YAGEOUSAHK SMD DIP | RC2010JR-07 5K1L.pdf |