창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-SD600N28PC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-SD600N/R | |
| 애플리케이션 노트 | DO205-Ax, B-8 Mounting Instr | |
| PCN 설계/사양 | PCN-DD-014-2014 Rev 00 11/Jul/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 2800V(2.8kV) | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 600A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.44V @ 1500A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 35mA @ 2800V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | B-8 | |
| 공급 장치 패키지 | B-8 | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 6 | |
| 다른 이름 | *SD600N28PC SD600N28PC VS-SD600N28PC-ND VSSD600N28PC VSSD600N28PC-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-SD600N28PC | |
| 관련 링크 | VS-SD60, VS-SD600N28PC 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW1210825KBEEA | RES SMD 825K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210825KBEEA.pdf | |
![]() | 1909580-1 | 1909580-1 amp/tyco 20pin | 1909580-1.pdf | |
![]() | LQG21N2R7K10T1M00-01 | LQG21N2R7K10T1M00-01 MURATA SMD or Through Hole | LQG21N2R7K10T1M00-01.pdf | |
![]() | UDP8311N | UDP8311N NS DIP-20 | UDP8311N.pdf | |
![]() | V23078-C1002-A303 | V23078-C1002-A303 ORIGINAL SMD or Through Hole | V23078-C1002-A303.pdf | |
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![]() | AM26LV32 | AM26LV32 TI SOP | AM26LV32.pdf | |
![]() | L4842LQ | L4842LQ NSC QFN-28 | L4842LQ.pdf | |
![]() | 400WES8200M | 400WES8200M STGCON SMD or Through Hole | 400WES8200M.pdf | |
![]() | LM6468AIM | LM6468AIM NS SMD or Through Hole | LM6468AIM.pdf | |
![]() | S4A26F31FNQR | S4A26F31FNQR ORIGINAL SMD or Through Hole | S4A26F31FNQR.pdf | |
![]() | ADG200ACJ | ADG200ACJ AD DIP | ADG200ACJ.pdf |