창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-MBRD650CTTRR-M3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-MBRD650,660CT-M3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | VSMBRD650CTTRRM3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-MBRD650CTTRR-M3 | |
| 관련 링크 | VS-MBRD650, VS-MBRD650CTTRR-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| 4MA125000Z4AACTGI | 125MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 105mA (Typ) Enable/Disable | 4MA125000Z4AACTGI.pdf | ||
![]() | RH02B1CJ2X | RH02B1CJ2X ALPS 2X2 | RH02B1CJ2X.pdf | |
![]() | HSM923-18.000MHZ | HSM923-18.000MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | HSM923-18.000MHZ.pdf | |
![]() | STL106B/STL/064 | STL106B/STL/064 ITT DIP | STL106B/STL/064.pdf | |
![]() | FV80503200/SL27J/2.8V | FV80503200/SL27J/2.8V INT PPGA | FV80503200/SL27J/2.8V.pdf | |
![]() | SEA6461J35 | SEA6461J35 EPSON SMD or Through Hole | SEA6461J35.pdf | |
![]() | LZY2080180R7A | LZY2080180R7A N/A SMD or Through Hole | LZY2080180R7A.pdf | |
![]() | 174726-3 | 174726-3 AMP/TYCO AMP | 174726-3.pdf | |
![]() | MAX1920EAI | MAX1920EAI MAXIM SMD | MAX1920EAI.pdf | |
![]() | FZ24V | FZ24V IR TO-220 | FZ24V.pdf | |
![]() | CN2A4TEJ104 | CN2A4TEJ104 KOA SMD or Through Hole | CN2A4TEJ104.pdf | |
![]() | 9.216MHZ 5.5*11.8 | 9.216MHZ 5.5*11.8 NDK SMD-DIP | 9.216MHZ 5.5*11.8.pdf |