창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-MBRD650CTTR-M3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-MBRD650,660CT-M3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | VSMBRD650CTTRM3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-MBRD650CTTR-M3 | |
| 관련 링크 | VS-MBRD650, VS-MBRD650CTTR-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C2012Y5V1E105Z/1.25 | 1µF 25V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012Y5V1E105Z/1.25.pdf | |
![]() | NPA-600B-001D | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Differential Male - 0.12" (3mm) Tube, Dual 14 b 14-SOIC Module, Top Port | NPA-600B-001D.pdf | |
![]() | AT-41511-TR1 / 415 | AT-41511-TR1 / 415 AT SOT-143 | AT-41511-TR1 / 415.pdf | |
![]() | 2N03L | 2N03L INFINEON TO-252 | 2N03L.pdf | |
![]() | DS8832 | DS8832 NS DIP | DS8832.pdf | |
![]() | M5M5278DJ-20L | M5M5278DJ-20L MITSUBISHI SOJ | M5M5278DJ-20L.pdf | |
![]() | ICS950812BG | ICS950812BG ICS TSSOP-48 | ICS950812BG.pdf | |
![]() | HCC381R2J103M11E | HCC381R2J103M11E MARUWA SMD or Through Hole | HCC381R2J103M11E.pdf | |
![]() | XC9572TQ15-100C | XC9572TQ15-100C XILINX QFP-100 | XC9572TQ15-100C.pdf | |
![]() | SA-711330 | SA-711330 EECO DIP-6 | SA-711330.pdf | |
![]() | 91911-31131 | 91911-31131 FCI SMD or Through Hole | 91911-31131.pdf | |
![]() | NKC453232T-1R0K-PF | NKC453232T-1R0K-PF TDK SMD or Through Hole | NKC453232T-1R0K-PF.pdf |