창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-GT100TP120N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-GT100TP120N | |
| PCN 단종/ EOL | EOL 04/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | PowerModules_2DBarcode Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| IGBT 유형 | Trench | |
| 구성 | 하프브리지 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 180A | |
| 전력 - 최대 | 652W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 5mA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 12.8nF @ 30V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | INT-A-PAK(3 + 4) | |
| 공급 장치 패키지 | INT-A-PAK | |
| 표준 포장 | 24 | |
| 다른 이름 | VSGT100TP120N | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-GT100TP120N | |
| 관련 링크 | VS-GT100, VS-GT100TP120N 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 403C11E32M00000 | 32MHz ±10ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C11E32M00000.pdf | |
![]() | CRGH2512F2K67 | RES SMD 2.67K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F2K67.pdf | |
![]() | 22L6 | 22L6 FSC TO-92 | 22L6.pdf | |
![]() | MA718 TEL:82766440 | MA718 TEL:82766440 PAN SOT-163 | MA718 TEL:82766440.pdf | |
![]() | PNX8541E1/M1/2414 | PNX8541E1/M1/2414 NXP BGA | PNX8541E1/M1/2414.pdf | |
![]() | PALCE26V12-10PC | PALCE26V12-10PC AMD DIP | PALCE26V12-10PC.pdf | |
![]() | SA33C/20A | SA33C/20A FUJI SMD or Through Hole | SA33C/20A.pdf | |
![]() | HMC156AC8TR | HMC156AC8TR HITTITE SMD or Through Hole | HMC156AC8TR.pdf | |
![]() | MAX991ESA | MAX991ESA MAXIM SOP | MAX991ESA.pdf | |
![]() | M74ALS576P | M74ALS576P MIT DIP | M74ALS576P.pdf | |
![]() | 811-S1-005-30-017101 | 811-S1-005-30-017101 Precidip SMD or Through Hole | 811-S1-005-30-017101.pdf | |
![]() | TLP2631(LF5) | TLP2631(LF5) TOSHIBA ORIGINAL | TLP2631(LF5).pdf |