창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-8EWL06FNTRR-M3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-8EWL06FN-M3 | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Update 04/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | FRED Pt® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 2.4V @ 8A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 25ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 600V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | VS8EWL06FNTRRM3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-8EWL06FNTRR-M3 | |
| 관련 링크 | VS-8EWL06F, VS-8EWL06FNTRR-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RG3216N-5620-D-T5 | RES SMD 562 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-5620-D-T5.pdf | |
![]() | RT1210CRE0722R6L | RES SMD 22.6 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE0722R6L.pdf | |
![]() | 276E1002106MR | 276E1002106MR MATSUO SMD or Through Hole | 276E1002106MR.pdf | |
![]() | SN707DR | SN707DR TI PB FREE | SN707DR.pdf | |
![]() | IPU35CN10N | IPU35CN10N Infineon TO-251 | IPU35CN10N.pdf | |
![]() | 1N5993DRL | 1N5993DRL ONSemiconductor SMD or Through Hole | 1N5993DRL.pdf | |
![]() | RC0603JR-0716KL 0603 18K | RC0603JR-0716KL 0603 18K ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0603JR-0716KL 0603 18K.pdf | |
![]() | AE1501-5.0 | AE1501-5.0 AE 263 220 | AE1501-5.0.pdf | |
![]() | FTR-H1AA005V | FTR-H1AA005V Fujitsu SMD or Through Hole | FTR-H1AA005V.pdf | |
![]() | HD6433802HA21 | HD6433802HA21 HITACHI QFP64 | HD6433802HA21.pdf | |
![]() | XZMG64W-8 | XZMG64W-8 SUNLED SMD | XZMG64W-8.pdf | |
![]() | D3V-11G2-1C25-K | D3V-11G2-1C25-K OmronElectronicsInc-EMCDiv SMD or Through Hole | D3V-11G2-1C25-K.pdf |