창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-8EWF06STR-M3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-8EWF0(2,4,6)S-M3 | |
| PCN 기타 | DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 8A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 55ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 600V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | VS8EWF06STRM3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-8EWF06STR-M3 | |
| 관련 링크 | VS-8EWF06, VS-8EWF06STR-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C941U152MZWDAA7317 | 1500pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C941U152MZWDAA7317.pdf | |
![]() | ERJ-S14F1401U | RES SMD 1.4K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F1401U.pdf | |
![]() | irlb3036gpbf | irlb3036gpbf ORIGINAL SMD or Through Hole | irlb3036gpbf.pdf | |
![]() | TDA9975EL/8/C3 | TDA9975EL/8/C3 PHILIPS BGA | TDA9975EL/8/C3.pdf | |
![]() | AP1186KS-50 | AP1186KS-50 ORIGINAL SMD or Through Hole | AP1186KS-50.pdf | |
![]() | AD1671JQ24L | AD1671JQ24L AD SMD or Through Hole | AD1671JQ24L.pdf | |
![]() | FODM3010R3 | FODM3010R3 Fairchild SOP4 | FODM3010R3.pdf | |
![]() | FAR-D5CN-881M50-D1N4-R | FAR-D5CN-881M50-D1N4-R FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-D5CN-881M50-D1N4-R.pdf | |
![]() | NXC-3210 | NXC-3210 INFNEON SMD or Through Hole | NXC-3210.pdf | |
![]() | CB016M0047RSH-0607 | CB016M0047RSH-0607 YAGEO SMD | CB016M0047RSH-0607.pdf | |
![]() | INPUT 100-120V AC/ | INPUT 100-120V AC/ LEVEL IP | INPUT 100-120V AC/.pdf | |
![]() | BAS32A | BAS32A PHI SOP DIP | BAS32A.pdf |