창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-87CNQ020APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 87CNQ020APBF(ASMPBF) | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| PCN 조립/원산지 | PCN-DD-026-2014 Rev 0 01/Dec/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1527 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 40A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 450mV @ 40A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5.5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | D-61-8 | |
| 공급 장치 패키지 | D-61-8 | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 다른 이름 | *87CNQ020APBF 87CNQ020APBF 87CNQ020APBF-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-87CNQ020APBF | |
| 관련 링크 | VS-87CNQ0, VS-87CNQ020APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-3GEYJ564V | RES SMD 560K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-3GEYJ564V.pdf | |
![]() | CRCW06034K22FKTA | RES SMD 4.22K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06034K22FKTA.pdf | |
![]() | 54132-3362 | 54132-3362 molex SMD or Through Hole | 54132-3362.pdf | |
![]() | MO10H166L | MO10H166L MOT CDIP | MO10H166L.pdf | |
![]() | SN74LS399NS | SN74LS399NS TI SOP5.2 | SN74LS399NS.pdf | |
![]() | M1D-BL | M1D-BL ORIGINAL DIP-18 | M1D-BL.pdf | |
![]() | APE2901N-50 | APE2901N-50 APEC SOT23-3 | APE2901N-50.pdf | |
![]() | 2SA1207SAA | 2SA1207SAA HITACHI SMD or Through Hole | 2SA1207SAA.pdf | |
![]() | M37477E8FP | M37477E8FP MITSUBISHI SMD or Through Hole | M37477E8FP.pdf | |
![]() | AWM6423RM18 | AWM6423RM18 ANADIGICS SMD or Through Hole | AWM6423RM18.pdf | |
![]() | ERWE451LGC332MDD0N | ERWE451LGC332MDD0N NIPPONCHEMI-CON SMD or Through Hole | ERWE451LGC332MDD0N.pdf | |
![]() | NLE-L101M25V8x11.5F | NLE-L101M25V8x11.5F NIC DIP | NLE-L101M25V8x11.5F.pdf |