창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-6CWQ10FN-M3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-6CWQ10FN-M3 | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3.5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 960mV @ 6A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 100V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | VS6CWQ10FNM3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-6CWQ10FN-M3 | |
| 관련 링크 | VS-6CWQ1, VS-6CWQ10FN-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C1608C0G1H180J/10 | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H180J/10.pdf | |
![]() | ERJ-S06F3091V | RES SMD 3.09K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-S06F3091V.pdf | |
![]() | AH1802-FY4G-7 | IC HALL EFFECT SENSOR 3-DFN | AH1802-FY4G-7.pdf | |
![]() | TM6-700 | TM6-700 GP SMD or Through Hole | TM6-700.pdf | |
![]() | TDA1067/C2 | TDA1067/C2 ORIGINAL SMD or Through Hole | TDA1067/C2.pdf | |
![]() | SC3602A | SC3602A SURPERCHI SMD or Through Hole | SC3602A.pdf | |
![]() | TMP87C809BN-5HU6 | TMP87C809BN-5HU6 ORIGINAL DIP-28 | TMP87C809BN-5HU6.pdf | |
![]() | 100AVEA121M0606 | 100AVEA121M0606 APAQ SMD or Through Hole | 100AVEA121M0606.pdf | |
![]() | DS2117MN | DS2117MN DALLAS SOIC | DS2117MN.pdf | |
![]() | BZX55C6V8T/B | BZX55C6V8T/B ST DO-35 | BZX55C6V8T/B.pdf | |
![]() | TVX1E103MDA | TVX1E103MDA NICHICON DIP | TVX1E103MDA.pdf |