창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VQ1001P-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VQ1001J/P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 830mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.75옴 @ 200mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VQ1001P-E3 | |
| 관련 링크 | VQ1001, VQ1001P-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MP6-2L/1D/1E/00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2L/1D/1E/00.pdf | |
![]() | TMP47C452AN | TMP47C452AN N/A NA | TMP47C452AN.pdf | |
![]() | WD83C583-JU | WD83C583-JU WDC PLCC | WD83C583-JU.pdf | |
![]() | UDZ15B-7-F15V | UDZ15B-7-F15V DIODES SMD or Through Hole | UDZ15B-7-F15V.pdf | |
![]() | CDCE949QPWRQ1 | CDCE949QPWRQ1 TI SMD or Through Hole | CDCE949QPWRQ1.pdf | |
![]() | MNR14E0APJ 102 | MNR14E0APJ 102 ROHM SMD or Through Hole | MNR14E0APJ 102.pdf | |
![]() | H37413M6HFP | H37413M6HFP ORIGINAL QFP | H37413M6HFP.pdf | |
![]() | 6RSAG31-06T | 6RSAG31-06T FUJI SMD or Through Hole | 6RSAG31-06T.pdf | |
![]() | 2SK1284-Z-E2 / K1284 | 2SK1284-Z-E2 / K1284 HITACHI SOT-89 | 2SK1284-Z-E2 / K1284.pdf | |
![]() | L3240D | L3240D ST SO8 | L3240D.pdf | |
![]() | TC55V16256JI-12 | TC55V16256JI-12 TOSHIBA SOJ | TC55V16256JI-12.pdf | |
![]() | AS10P1-5F4-2 | AS10P1-5F4-2 Tyco con | AS10P1-5F4-2.pdf |