창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VP3203N3-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VP3203 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 650mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 10mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 740mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VP3203N3-G | |
관련 링크 | VP3203, VP3203N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | MJS 3 | FUSE GLASS 3A 250VAC 2AG | MJS 3.pdf | |
![]() | 425F22A016M3676 | 16.3676MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F22A016M3676.pdf | |
RH0251R000FC02 | RES CHAS MNT 1 OHM 1% 25W | RH0251R000FC02.pdf | ||
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![]() | 12129157 | 12129157 DELPHI con | 12129157.pdf | |
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![]() | CSA-957717 | CSA-957717 CELERITEK SMD or Through Hole | CSA-957717.pdf | |
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