창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VP2206N2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VP2206 | |
| PCN 조립/원산지 | 3L TO-39 Qualification Assembly Site Update 22/Aug/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 750mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 10mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-39 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VP2206N2 | |
| 관련 링크 | VP22, VP2206N2 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | 2277200 | BUS-BAR XFRMR | 2277200.pdf | |
![]() | IR21362JTR | IR21362JTR IOR PLCC | IR21362JTR.pdf | |
![]() | W25X80 | W25X80 WINBOND SOP-8 | W25X80.pdf | |
![]() | L54637ZB | L54637ZB ORIGINAL PLCC28 | L54637ZB.pdf | |
![]() | SW-212 | SW-212 SHINMEI SMD | SW-212.pdf | |
![]() | le80538ve0041me | le80538ve0041me intel SMD or Through Hole | le80538ve0041me.pdf | |
![]() | LFD21859MDD1A049 | LFD21859MDD1A049 MURATA SMD or Through Hole | LFD21859MDD1A049.pdf | |
![]() | D3035-5110 | D3035-5110 N/A SMD or Through Hole | D3035-5110.pdf | |
![]() | BR1503 | BR1503 SEP KBPC-4 | BR1503.pdf | |
![]() | 2SD1491-L | 2SD1491-L NEC TO-126 | 2SD1491-L.pdf | |
![]() | HEF4049BTD-T | HEF4049BTD-T NXP SOP-16 | HEF4049BTD-T.pdf | |
![]() | SU312 | SU312 MOT SMD or Through Hole | SU312.pdf |