창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VP0808B-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VP0808B/L/M,VP1008B/L/M | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Jul/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 880mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 6.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-39 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VP0808B-E3 | |
| 관련 링크 | VP0808, VP0808B-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 08055C105KAT2A | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08055C105KAT2A.pdf | |
![]() | ERJ-L14UF58MU | RES SMD 0.058 OHM 1% 1/3W 1210 | ERJ-L14UF58MU.pdf | |
![]() | WS7M22R0J | RES 22 OHM 7W 5% AXIAL | WS7M22R0J.pdf | |
![]() | ADOZ | ADOZ ORIGINAL 5 SOT-23 | ADOZ.pdf | |
![]() | PST70524MT | PST70524MT ORIGINAL SMD or Through Hole | PST70524MT.pdf | |
![]() | LQW15AN1N5 | LQW15AN1N5 ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW15AN1N5.pdf | |
![]() | OSC1758-500 | OSC1758-500 AD DIP | OSC1758-500.pdf | |
![]() | FX919BD2 | FX919BD2 CML SOP24 | FX919BD2.pdf | |
![]() | XZR05/24D12 | XZR05/24D12 N/A DIP | XZR05/24D12.pdf | |
![]() | YSM---SDD--6W | YSM---SDD--6W ORIGINAL SMD or Through Hole | YSM---SDD--6W.pdf | |
![]() | ED188128100CB | ED188128100CB PHIL DIP | ED188128100CB.pdf | |
![]() | MM74F139 | MM74F139 FAIRCHILD SMD | MM74F139.pdf |