창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VP0808B-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VP0808B/L/M,VP1008B/L/M | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Jul/2016 | |
PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 880mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 6.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-39 | |
표준 포장 | 100 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VP0808B-E3 | |
관련 링크 | VP0808, VP0808B-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
DSC1121AI5-019.4400T | 19.44MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121AI5-019.4400T.pdf | ||
CMF5535K700FERE | RES 35.7K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5535K700FERE.pdf | ||
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0603F 1UF/10V | 0603F 1UF/10V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603F 1UF/10V.pdf | ||
B4M, | B4M, GOOD-ARK MBM | B4M,.pdf | ||
M520-V1.04A | M520-V1.04A ST SMD or Through Hole | M520-V1.04A.pdf | ||
78Q2120-CCT | 78Q2120-CCT TDK QFP | 78Q2120-CCT.pdf |