창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN3205N3-G-P002 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VN3205 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.2A(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 10mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VN3205N3-G-P002 | |
관련 링크 | VN3205N3-, VN3205N3-G-P002 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
MKP383318025JCA2B0 | 0.018µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.406" L x 0.197" W (10.30mm x 5.00mm) | MKP383318025JCA2B0.pdf | ||
SIT5001AC-8E-18E0-45.000000T | OSC XO 1.8V 45MHZ OE | SIT5001AC-8E-18E0-45.000000T.pdf | ||
0819-46H | 8.2µH Unshielded Molded Inductor 104mA 4.4 Ohm Max Axial | 0819-46H.pdf | ||
RCV5935AN-S-N1 | RCV5935AN-S-N1 ORIGINAL SMD or Through Hole | RCV5935AN-S-N1.pdf | ||
HA7-5142-9 | HA7-5142-9 HARRIS DIP | HA7-5142-9.pdf | ||
ERX1SJR20V | ERX1SJR20V ORIGINAL SMD or Through Hole | ERX1SJR20V.pdf | ||
CF022D0473JBA | CF022D0473JBA AVX SMD1210 | CF022D0473JBA.pdf | ||
ZQ20-17 | ZQ20-17 GUERTE ZQ | ZQ20-17.pdf | ||
RS30014 | RS30014 Hampolt SMD or Through Hole | RS30014.pdf | ||
CO-E1-11AAR | CO-E1-11AAR Lantronix SMD or Through Hole | CO-E1-11AAR.pdf | ||
APT45-101DN | APT45-101DN APT SMD or Through Hole | APT45-101DN.pdf |