창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN2460N3-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VN2460 | |
PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Addition 06/Apr/2015 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20옴 @ 100mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VN2460N3-G | |
관련 링크 | VN2460, VN2460N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
TZMC3V9-GS08 | DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80 | TZMC3V9-GS08.pdf | ||
PE0805DRF070R047L | RES SMD 0.047 OHM 0.5% 1/8W 0805 | PE0805DRF070R047L.pdf | ||
TNPW08058K66BEEN | RES SMD 8.66K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW08058K66BEEN.pdf | ||
RSF2GT100R | RES MO 2W 100 OHM 2% AXIAL | RSF2GT100R.pdf | ||
FD-40 | FIBER M4 REFLECT R2 BEND RADIUS | FD-40.pdf | ||
MKS2I0.47UF20%63V | MKS2I0.47UF20%63V WIMA SMD or Through Hole | MKS2I0.47UF20%63V.pdf | ||
DST621/32.768KHZ/12.5PF/20PPM | DST621/32.768KHZ/12.5PF/20PPM KDS 6.0 2.5 1.0MM | DST621/32.768KHZ/12.5PF/20PPM.pdf | ||
HD6301VIP | HD6301VIP HITACHI DIP-40 | HD6301VIP.pdf | ||
TA8050FG(5 | TA8050FG(5 TOSHIBA HSOP20 | TA8050FG(5.pdf | ||
BD18KA5WFP-E2 | BD18KA5WFP-E2 ROHM TO252-4 | BD18KA5WFP-E2.pdf | ||
NT2GT64U8HC0BN-3C | NT2GT64U8HC0BN-3C NANYACORP SMD or Through Hole | NT2GT64U8HC0BN-3C.pdf | ||
RK73B1JTTD182J(5ERQF1J182+++06) | RK73B1JTTD182J(5ERQF1J182+++06) KOA SMD or Through Hole | RK73B1JTTD182J(5ERQF1J182+++06).pdf |