창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VN2222LL-G-P003 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VN2222LL | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VN2222LL-G-P003 | |
| 관련 링크 | VN2222LL-, VN2222LL-G-P003 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0225C1E1R6BA03L | 1.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E1R6BA03L.pdf | |
![]() | VJ0805D110FLBAJ | 11pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D110FLBAJ.pdf | |
| 7-1393806-5 | General Purpose Relay DPST (2 Form A) 15VDC Coil Socketable | 7-1393806-5.pdf | ||
![]() | SR2512JK-0743RL | RES SMD 43 OHM 5% 1W 2512 | SR2512JK-0743RL.pdf | |
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![]() | MA3082-(TX) | MA3082-(TX) Panasonic SOT-23 | MA3082-(TX).pdf | |
![]() | 65043-033 | 65043-033 FCI SMD or Through Hole | 65043-033.pdf | |
![]() | TESVB1C335M12 | TESVB1C335M12 NEC SMD or Through Hole | TESVB1C335M12.pdf | |
![]() | 1/4W150K | 1/4W150K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1/4W150K.pdf | |
![]() | BU6387K | BU6387K ROHM QFP | BU6387K.pdf | |
![]() | C65N2P/4A | C65N2P/4A ORIGINAL C65N2P4A | C65N2P/4A.pdf |