창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN1206L-G-P002 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VN1206 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 125pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VN1206L-G-P002 | |
관련 링크 | VN1206L-, VN1206L-G-P002 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | CSD17571Q2 | MOSFET N-CH 30V 22A 6SON | CSD17571Q2.pdf | |
![]() | MDP6N60 | MDP6N60 Magnachip TO-220 | MDP6N60.pdf | |
![]() | S6B0107B07B01-Q0 | S6B0107B07B01-Q0 SAMSUNG NA | S6B0107B07B01-Q0.pdf | |
![]() | SG2003AXN5/TR | SG2003AXN5/TR SGMC SOT23-5 | SG2003AXN5/TR.pdf | |
![]() | 17178-005 | 17178-005 AMIS SOP14 | 17178-005.pdf | |
![]() | RDC-14525-603 | RDC-14525-603 DDC SMD or Through Hole | RDC-14525-603.pdf | |
![]() | C085C330F5GAC | C085C330F5GAC KEMET SMD | C085C330F5GAC.pdf | |
![]() | LQM2HLN3R3MG0L | LQM2HLN3R3MG0L MURATA SMD | LQM2HLN3R3MG0L.pdf | |
![]() | SHP-600+ | SHP-600+ ORIGINAL SMD or Through Hole | SHP-600+.pdf | |
![]() | PBSS3515E/1R | PBSS3515E/1R PHI SOT-523 | PBSS3515E/1R.pdf | |
![]() | R3115Z221B-TR-F | R3115Z221B-TR-F RICOH BGA4 | R3115Z221B-TR-F.pdf | |
![]() | SF803GA | SF803GA LTPANJIT TO-220 | SF803GA.pdf |