창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VN0606L-G-P003 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VN0606 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 330mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VN0606L-G-P003 | |
| 관련 링크 | VN0606L-, VN0606L-G-P003 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | E36D250LPN104TCE3N | 100000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D250LPN104TCE3N.pdf | |
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![]() | 15FR030E | RES 0.03 OHM 5W 1% AXIAL | 15FR030E.pdf | |
![]() | TD87C51FB-16/TD87C51 | TD87C51FB-16/TD87C51 INTEL DIP- | TD87C51FB-16/TD87C51.pdf | |
![]() | IRL1404/IRF1404 | IRL1404/IRF1404 ORIGINAL SMD or Through Hole | IRL1404/IRF1404.pdf | |
![]() | 898-3-R-150 | 898-3-R-150 BI DIP | 898-3-R-150.pdf | |
![]() | 1AB07063ABAA | 1AB07063ABAA ALCATEL AYPLCC | 1AB07063ABAA.pdf | |
![]() | 28FMN-BMTTR-A-TBT | 28FMN-BMTTR-A-TBT JST SMD or Through Hole | 28FMN-BMTTR-A-TBT.pdf | |
![]() | HEF4794BTSOIC-16 | HEF4794BTSOIC-16 NXP SMD or Through Hole | HEF4794BTSOIC-16.pdf | |
![]() | TNY275PN/GN | TNY275PN/GN POWER DIP-7 | TNY275PN/GN.pdf | |
![]() | LT4356CMS | LT4356CMS LINEAR SMD or Through Hole | LT4356CMS.pdf |