창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VMM90-09F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VMM90-09F | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 76m옴 @ 65A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 30mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 960nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | Y3-Li | |
공급 장치 패키지 | Y3-Li | |
표준 포장 | 2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VMM90-09F | |
관련 링크 | VMM90, VMM90-09F 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-S06F56R0V | RES SMD 56 OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-S06F56R0V.pdf | |
![]() | ERJ-S14F4871U | RES SMD 4.87K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F4871U.pdf | |
![]() | CP000735R00JB313 | RES 35 OHM 7W 5% AXIAL | CP000735R00JB313.pdf | |
![]() | D7516HG085 | D7516HG085 NEC DIP | D7516HG085.pdf | |
![]() | 60000-65/001 | 60000-65/001 THOMSON SMD or Through Hole | 60000-65/001.pdf | |
![]() | MB84VD21193EM-70PBS-GE1 | MB84VD21193EM-70PBS-GE1 FUJ BGA | MB84VD21193EM-70PBS-GE1.pdf | |
![]() | A33373 | A33373 NEC DIP-16 | A33373.pdf | |
![]() | 6603G | 6603G ORIGINAL QFN | 6603G.pdf | |
![]() | UPD1708AG-634 | UPD1708AG-634 ORIGINAL QFP | UPD1708AG-634.pdf | |
![]() | NE650R279A-T1 | NE650R279A-T1 NEC SO86 | NE650R279A-T1.pdf | |
![]() | CHV2242C | CHV2242C UMS SMD or Through Hole | CHV2242C.pdf | |
![]() | R1283K002A-TR | R1283K002A-TR RICOH SMD or Through Hole | R1283K002A-TR.pdf |