창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VI-RAM-C1/S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | VI-RAM-C1/S | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | VI-RAM-C1/S | |
| 관련 링크 | VI-RAM, VI-RAM-C1/S 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 16ZL120M8X7 | 120µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | 16ZL120M8X7.pdf | |
![]() | CC1206KRX7R9BB334 | 0.33µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206KRX7R9BB334.pdf | |
![]() | 06033A4R3CAT4A | 4.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A4R3CAT4A.pdf | |
![]() | T520C336M006ATE100 | 33µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 6.3V 2312 (6032 Metric) 100 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T520C336M006ATE100.pdf | |
![]() | SA6.5A-E3/73 | TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO204AC | SA6.5A-E3/73.pdf | |
![]() | DRQ73-681-R | Shielded 2 Coil Inductor Array 2.706mH Inductance - Connected in Series 676.5µH Inductance - Connected in Parallel 3.47 Ohm DC Resistance (DCR) - Parallel 290mA Nonstandard | DRQ73-681-R.pdf | |
![]() | SBR40150CTB | SBR40150CTB DIODES D2PAK | SBR40150CTB.pdf | |
![]() | 150uf10VC | 150uf10VC avetron SMD or Through Hole | 150uf10VC.pdf | |
![]() | BZT52C18 WL SOD-123 | BZT52C18 WL SOD-123 ORIGINAL SMD or Through Hole | BZT52C18 WL SOD-123.pdf | |
![]() | RN5RL36AA-TR-F | RN5RL36AA-TR-F RICOH SOT-153 | RN5RL36AA-TR-F.pdf | |
![]() | CR3415-40QC-D | CR3415-40QC-D ORIGINAL QFP | CR3415-40QC-D.pdf | |
![]() | CL31B103JBNC | CL31B103JBNC SAMSUNG SMD | CL31B103JBNC.pdf |