창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VH1H4R7MF7R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | VH1H4R7MF7R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | VH1H4R7MF7R | |
| 관련 링크 | VH1H4R, VH1H4R7MF7R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-HC3F362JD | 3600pF Film Capacitor 3000V (3kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.016" L x 0.283" W (25.80mm x 7.20mm) | ECW-HC3F362JD.pdf | |
![]() | TS200F33CDT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS200F33CDT.pdf | |
| PA0513.441NLT | 440nH Shielded Inductor 30A 0.32 mOhm Nonstandard | PA0513.441NLT.pdf | ||
![]() | CDRH103RNP-8R2NC-B | 8.2µH Shielded Inductor 3A 50 mOhm Max Nonstandard | CDRH103RNP-8R2NC-B.pdf | |
![]() | CS117CH4 | CS117CH4 ORIGINAL DIP22 | CS117CH4.pdf | |
![]() | S-8261ABJMD-G3J-T2 | S-8261ABJMD-G3J-T2 SEIKO SOT23-6 | S-8261ABJMD-G3J-T2.pdf | |
![]() | MAX364CSE | MAX364CSE MAXIM SOT23-5 | MAX364CSE.pdf | |
![]() | ADJ-5P01 | ADJ-5P01 DF SOP223 | ADJ-5P01.pdf | |
![]() | 2SD1602. | 2SD1602. HIT TO-220 | 2SD1602..pdf | |
![]() | TMCUC0E686KTRF | TMCUC0E686KTRF HITACHI SMD or Through Hole | TMCUC0E686KTRF.pdf | |
![]() | EF2-4.5NFX-L | EF2-4.5NFX-L NEC SMD | EF2-4.5NFX-L.pdf | |
![]() | ADM8694ARNZ-REEL | ADM8694ARNZ-REEL AD SOP8 | ADM8694ARNZ-REEL.pdf |