창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VEC2616-TL-W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VEC2616 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A, 2.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 505pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-28FL/VEC8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | VEC2616-TL-W-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VEC2616-TL-W | |
| 관련 링크 | VEC2616, VEC2616-TL-W 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D4R7CXAAJ | 4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D4R7CXAAJ.pdf | |
![]() | MXO45T-3C-8M0000 | 8MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 26mA Enable/Disable | MXO45T-3C-8M0000.pdf | |
![]() | FT201XQ-R | FT201XQ-R FTDI 16-QFN | FT201XQ-R.pdf | |
![]() | SMSZ1010T1 | SMSZ1010T1 ON 1206 | SMSZ1010T1.pdf | |
![]() | 54F54FMQB | 54F54FMQB F SOP | 54F54FMQB.pdf | |
![]() | BT137-600E(ROHS) D/C10 | BT137-600E(ROHS) D/C10 NXP TO-220 | BT137-600E(ROHS) D/C10.pdf | |
![]() | BZV49-C7V5 | BZV49-C7V5 PHILIPS 7Y5 89 | BZV49-C7V5.pdf | |
![]() | BZX85B8V2TAP | BZX85B8V2TAP TELEFUNKEN SMD or Through Hole | BZX85B8V2TAP.pdf | |
![]() | TM50S416TB-6 | TM50S416TB-6 TMC TSOP50 | TM50S416TB-6.pdf | |
![]() | UF4004FC | UF4004FC VISHAY SMD or Through Hole | UF4004FC.pdf | |
![]() | KST10-MTF/MMBH10 | KST10-MTF/MMBH10 SAMSUNG SMD or Through Hole | KST10-MTF/MMBH10.pdf |