창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VEC2616-TL-W-Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VEC2616 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A, 2.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 505pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | SOT-28FL/VEC8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VEC2616-TL-W-Z | |
관련 링크 | VEC2616-, VEC2616-TL-W-Z 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 381LQ181M420H042 | SNAPMOUNTS | 381LQ181M420H042.pdf | |
![]() | CRCW251221K0FKEHHP | RES SMD 21K OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW251221K0FKEHHP.pdf | |
![]() | 150K 1/4W | 150K 1/4W ST SMD or Through Hole | 150K 1/4W.pdf | |
![]() | 2AW4-0001(1825-0005) | 2AW4-0001(1825-0005) AGILENT BGA | 2AW4-0001(1825-0005).pdf | |
![]() | 58330-1 | 58330-1 AMP/WSI SMD or Through Hole | 58330-1.pdf | |
![]() | AN6196SB | AN6196SB PANASONI SSOP | AN6196SB.pdf | |
![]() | TLF4264G | TLF4264G ORIGINAL SMD or Through Hole | TLF4264G.pdf | |
![]() | B82789C0104N001 | B82789C0104N001 EPCOS SMD or Through Hole | B82789C0104N001.pdf | |
![]() | 607-3 | 607-3 GCELECTRONICS SOP-8 | 607-3.pdf | |
![]() | ICS9147F08TCQ1 | ICS9147F08TCQ1 ics SMD or Through Hole | ICS9147F08TCQ1.pdf | |
![]() | PME261JB5220KR19T0 | PME261JB5220KR19T0 KEMET SMD or Through Hole | PME261JB5220KR19T0.pdf | |
![]() | ZX-L112W | ZX-L112W ORIGINAL SMD or Through Hole | ZX-L112W.pdf |