창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VEC2315-TL-W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VEC2315 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 137m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 420pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-28FL/VEC8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | VEC2315-TL-W-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VEC2315-TL-W | |
| 관련 링크 | VEC2315, VEC2315-TL-W 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RC2010FK-07562KL | RES SMD 562K OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-07562KL.pdf | |
![]() | ERJ-B1BJ3R0U | RES SMD 3 OHM 2W 2010 WIDE | ERJ-B1BJ3R0U.pdf | |
![]() | 0402SR180100N | 0402SR180100N ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402SR180100N.pdf | |
![]() | AEXL | AEXL ORIGINAL 5SOT-23 | AEXL.pdf | |
![]() | THT-96-477-10 | THT-96-477-10 BRADYCORP SMD or Through Hole | THT-96-477-10.pdf | |
![]() | ERA-51SM TEL:82766440 | ERA-51SM TEL:82766440 MINI SMD or Through Hole | ERA-51SM TEL:82766440.pdf | |
![]() | AD8113JSTZ | AD8113JSTZ ORIGINAL SMD or Through Hole | AD8113JSTZ .pdf | |
![]() | ADM202AARN | ADM202AARN ADM SOP-16 | ADM202AARN.pdf | |
![]() | BAS102405B | BAS102405B COSEL DIP | BAS102405B.pdf | |
![]() | MB89F202RAP-G-SH-JNE | MB89F202RAP-G-SH-JNE FUJITSU DIP32 | MB89F202RAP-G-SH-JNE.pdf |