창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VBT6045CBP-E3/8W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information VBT6045CBP | |
제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
주요제품 | TMBS® Rectifiers | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | TMBS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 30A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 640mV @ 30A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 45V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | VBT6045CBP-E3/8WGITR VBT6045CBPE38W | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VBT6045CBP-E3/8W | |
관련 링크 | VBT6045CB, VBT6045CBP-E3/8W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
RY210006 | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 6VDC Coil Through Hole | RY210006.pdf | ||
PWR263S-35-12R0J | RES SMD 12 OHM 5% 35W D2PAK | PWR263S-35-12R0J.pdf | ||
LM11173.3/ADJ/1.2 | LM11173.3/ADJ/1.2 ORIGINAL SOT-252 | LM11173.3/ADJ/1.2.pdf | ||
3.3UH | 3.3UH TDK 3225 | 3.3UH.pdf | ||
SPT7820AIJ | SPT7820AIJ ORIGINAL DIP-28 | SPT7820AIJ.pdf | ||
MT47H128M16RT-3:C | MT47H128M16RT-3:C MICRON FBGA-84 | MT47H128M16RT-3:C.pdf | ||
EP3SE260F1517C3N | EP3SE260F1517C3N ALTERA BGA | EP3SE260F1517C3N.pdf | ||
2SJ205 / PD | 2SJ205 / PD NEC SOT-89 | 2SJ205 / PD.pdf | ||
CXA2747GA-T2 | CXA2747GA-T2 SONY XX | CXA2747GA-T2.pdf | ||
HD64465EBP | HD64465EBP HITACHI BGA | HD64465EBP.pdf | ||
SGPIDR54-820 | SGPIDR54-820 ORIGINAL SMD | SGPIDR54-820.pdf |