창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VBT2045BP-E3/4W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Packaging Information VBT2045BP | |
| 제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TMBS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 20A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 660mV @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2mA @ 45V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 작동 온도 - 접합 | 200°C(최대) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | VBT2045BPE34W | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VBT2045BP-E3/4W | |
| 관련 링크 | VBT2045BP, VBT2045BP-E3/4W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C475M8PACTU | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C475M8PACTU.pdf | |
![]() | 416F36023AAT | 36MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36023AAT.pdf | |
![]() | XC6401EE19DR | XC6401EE19DR TOREX SMD or Through Hole | XC6401EE19DR.pdf | |
![]() | JPWC1206T-601 | JPWC1206T-601 TAIWAN 1206 | JPWC1206T-601.pdf | |
![]() | LA7850 | LA7850 TOSHIBA DIP20 | LA7850 .pdf | |
![]() | 23Z106 | 23Z106 PULSE SMD or Through Hole | 23Z106.pdf | |
![]() | LSI53C895A | LSI53C895A LSI BGA | LSI53C895A.pdf | |
![]() | MN53015XBM | MN53015XBM MITEL QFP | MN53015XBM.pdf | |
![]() | MAX500ACPE | MAX500ACPE MAXIM DIP | MAX500ACPE.pdf | |
![]() | 67-21/MK2C-W38506B8CB2/2T | 67-21/MK2C-W38506B8CB2/2T ORIGINAL SMD or Through Hole | 67-21/MK2C-W38506B8CB2/2T.pdf | |
![]() | AI-5320-2 | AI-5320-2 ORIGINAL DIP | AI-5320-2.pdf |