창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VBT1045C-E3/4W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information VBT1045C-E3/xW | |
제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 5A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 5A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 45V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | VBT1045C-E3/4WGI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VBT1045C-E3/4W | |
관련 링크 | VBT1045C, VBT1045C-E3/4W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MHQ1005P18NHTD25 | 18nH Unshielded Multilayer Inductor 260mA 800 mOhm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P18NHTD25.pdf | |
![]() | TQ2SA-24V | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | TQ2SA-24V.pdf | |
![]() | CRCW12109K10JNTA | RES SMD 9.1K OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW12109K10JNTA.pdf | |
![]() | E2A3-S08KS03-WP-C1 2M | Inductive Proximity Sensor 0.118" (3mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M8 | E2A3-S08KS03-WP-C1 2M.pdf | |
![]() | 011R950 | 011R950 ORIGINAL SOP-8 | 011R950.pdf | |
![]() | TEXEL-01 | TEXEL-01 PHI DIP24 | TEXEL-01.pdf | |
![]() | 02C1500JP | 02C1500JP VISHAY DIP | 02C1500JP.pdf | |
![]() | 10F200T-I/OT | 10F200T-I/OT MICROCHIP SMD or Through Hole | 10F200T-I/OT.pdf | |
![]() | TMCP1A106KTRF | TMCP1A106KTRF HITACHI SMT | TMCP1A106KTRF.pdf | |
![]() | PAD1000YFFR | PAD1000YFFR TI SMD or Through Hole | PAD1000YFFR.pdf | |
![]() | 2SB2535 | 2SB2535 ON TO-220 | 2SB2535.pdf | |
![]() | D0902FA LF | D0902FA LF ORIGINAL SMD or Through Hole | D0902FA LF.pdf |