창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VB60100C-E3/8W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | V60100C, VB60100C | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TMBS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 30A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 790mV @ 30A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 100V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VB60100C-E3/8W | |
| 관련 링크 | VB60100C, VB60100C-E3/8W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CGA2B2C0G1H121J050BD | 120pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2C0G1H121J050BD.pdf | |
![]() | MKP1848S71050JY6F | 100µF Film Capacitor 500V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 2.756" W (57.50mm x 70.00mm) | MKP1848S71050JY6F.pdf | |
![]() | ABM8G-16.000MHZ-18-D2Y-T3 | 16MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-16.000MHZ-18-D2Y-T3.pdf | |
![]() | HCPL-814-300E | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | HCPL-814-300E.pdf | |
![]() | C2012Y5V1C105ZT000N | C2012Y5V1C105ZT000N TDK SMD | C2012Y5V1C105ZT000N.pdf | |
![]() | MN18P76476BP | MN18P76476BP MAT QFP | MN18P76476BP.pdf | |
![]() | 43H0069 | 43H0069 ORIGINAL PLCC | 43H0069.pdf | |
![]() | GSMI160808-R10K | GSMI160808-R10K ORIGINAL SMD | GSMI160808-R10K.pdf | |
![]() | ABS111NB | ABS111NB ORIGINAL SMD or Through Hole | ABS111NB.pdf | |
![]() | BW40-16 | BW40-16 ORIGINAL SMD or Through Hole | BW40-16.pdf | |
![]() | 55269 | 55269 MURR null | 55269.pdf |