창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V660LA100BPX10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | LA Varistor Series | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Littelfuse Inc. | |
| 계열 | LA | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | 940V | |
| 배리스터 전압(통상) | 1020V(1.02kV) | |
| 배리스터 전압(최대) | 1100V(1.1kV) | |
| 전류 - 서지 | 6.5kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 660VAC | |
| 최대 DC 전압 | 850VDC | |
| 에너지 | 250J | |
| 패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 400 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V660LA100BPX10 | |
| 관련 링크 | V660LA10, V660LA100BPX10 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | MC-405 32.7680K-E0: ROHS | 32.768kHz ±20ppm 수정 6pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MC-405 32.7680K-E0: ROHS.pdf | |
![]() | RR01JR91TB | RES 0.91 OHM 1W 5% AXIAL | RR01JR91TB.pdf | |
![]() | TB0640H-TB3500H | TB0640H-TB3500H DIODES SMB | TB0640H-TB3500H.pdf | |
![]() | RB2-35V4R7ME1 | RB2-35V4R7ME1 ELNA DIP | RB2-35V4R7ME1.pdf | |
![]() | PC8739VJG | PC8739VJG NS QFP | PC8739VJG.pdf | |
![]() | 80H100 | 80H100 ST TO-247 | 80H100.pdf | |
![]() | TA8745CN | TA8745CN TOSHIBA DIP54 | TA8745CN.pdf | |
![]() | W25Q80VSIG | W25Q80VSIG IR SMD | W25Q80VSIG.pdf | |
![]() | MT47H32M16FN-5E IT:D | MT47H32M16FN-5E IT:D MICRON FBGA84 | MT47H32M16FN-5E IT:D.pdf | |
![]() | TDA9886TS/V4,518 | TDA9886TS/V4,518 NXP TDA9886TS SSOP24 REE | TDA9886TS/V4,518.pdf | |
![]() | LAH-160V681MS3 | LAH-160V681MS3 ELNA SMD or Through Hole | LAH-160V681MS3.pdf | |
![]() | D3SM4(D3S4M) | D3SM4(D3S4M) ORIGINAL DIODE | D3SM4(D3S4M).pdf |