창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V4PAN50-M3/I | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Packaging Information Diodes TMBS Product Sheet V4PAN50 | |
| 제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
| 비디오 파일 | TMBS® Rectifiers in SMPA Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 주요제품 | 45 V and 50 V TMBS® in DO-221BC (SMPA) Package | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Material Update 30/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TMBS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 430mV @ 2A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 600µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 480pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-221BC, SMA 평면 리드 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-221BC(SMPA) | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 14,000 | |
| 다른 이름 | V4PAN50-M3/ITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V4PAN50-M3/I | |
| 관련 링크 | V4PAN50, V4PAN50-M3/I 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| CSM1Z-A0B2C3-50-17.734475D18 | 17.734475MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | CSM1Z-A0B2C3-50-17.734475D18.pdf | ||
![]() | F2250NLGK | RF Attenuator 35dB 50MHz ~ 6GHz 50 Ohm 16-TFQFN Exposed Pad | F2250NLGK.pdf | |
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![]() | DIT7545 | DIT7545 Lattice SOP-20L | DIT7545.pdf | |
![]() | IMH9 T108 | IMH9 T108 ROHM SOT163 | IMH9 T108.pdf | |
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![]() | RPEE41H105M4M1E12A | RPEE41H105M4M1E12A MURATA DIP | RPEE41H105M4M1E12A.pdf | |
![]() | 171AB | 171AB N/A SMD or Through Hole | 171AB.pdf |