창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V2AF109A200Y2EDP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | V(2,3)AF Series | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | TransGuard® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 배리스터 전압 | 10.8V | |
| 배리스터 전압(통상) | 12.7V | |
| 배리스터 전압(최대) | 14.61V | |
| 전류 - 서지 | 30A | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 6.4VAC | |
| 최대 DC 전압 | 9VDC | |
| 에너지 | 0.10J | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT), MLCV | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 478-9358-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V2AF109A200Y2EDP | |
| 관련 링크 | V2AF109A2, V2AF109A200Y2EDP 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | B43501A3337M80 | 330µF 385V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 200 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501A3337M80.pdf | |
![]() | C1206C181JGGAC7800 | 180pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C181JGGAC7800.pdf | |
![]() | VJ1808Y473KXEAT5Z | 0.047µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | VJ1808Y473KXEAT5Z.pdf | |
![]() | 1.5SMC220A | TVS DIODE 185VWM 328VC SMD | 1.5SMC220A.pdf | |
![]() | IPW65R048CFDAFKSA1 | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | IPW65R048CFDAFKSA1.pdf | |
![]() | 74404064151 | 150µH Shielded Wirewound Inductor 770mA 570 mOhm Nonstandard | 74404064151.pdf | |
![]() | SMD3225 27.000MHZ 18PF | SMD3225 27.000MHZ 18PF ORIGINAL ROHS | SMD3225 27.000MHZ 18PF.pdf | |
![]() | HT9170D-18SLF | HT9170D-18SLF ORIGINAL SMD or Through Hole | HT9170D-18SLF.pdf | |
![]() | SD101BW-7 | SD101BW-7 DIODES SOD-123 | SD101BW-7.pdf | |
![]() | D2HW-BR282M | D2HW-BR282M Harwin SMD or Through Hole | D2HW-BR282M.pdf | |
![]() | 218S6ECLA13FG SB600 | 218S6ECLA13FG SB600 ATI BGA | 218S6ECLA13FG SB600.pdf | |
![]() | SA7452 | SA7452 ORIGINAL TO-220-9 | SA7452.pdf |