창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V20100C-E3/4W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | V(F,B,I)20100C Packaging Information | |
| 제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| PCN 조립/원산지 | DD-018-2014 Rev. 0 05/Aug/2014 New subcontractor 06/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TMBS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 10A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 790mV @ 10A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 800µA @ 100V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | V20100C-E3/4W-ND V20100C-E3/4WGI V20100CE34W | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V20100C-E3/4W | |
| 관련 링크 | V20100C, V20100C-E3/4W 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | TP2435N8-G | MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3 | TP2435N8-G.pdf | |
![]() | AC0603JR-0710KL | RES SMD 10K OHM 5% 1/10W 0603 | AC0603JR-0710KL.pdf | |
![]() | 2200HT-100-RC | 2200HT-100-RC BOURNS DIP | 2200HT-100-RC.pdf | |
![]() | USB22 | USB22 FAIRCHIL SSOP | USB22.pdf | |
![]() | H8501T6 | H8501T6 HARWIN SMD or Through Hole | H8501T6.pdf | |
![]() | 5450DM | 5450DM ORIGINAL SMD or Through Hole | 5450DM.pdf | |
![]() | P6000E6.8CA | P6000E6.8CA VISHAY DO15 | P6000E6.8CA.pdf | |
![]() | LC4256ZE | LC4256ZE LATTICE QFP | LC4256ZE.pdf | |
![]() | M2716A2F1 | M2716A2F1 ST DIP | M2716A2F1.pdf | |
![]() | S033ZZ0F | S033ZZ0F ORIGINAL SMD or Through Hole | S033ZZ0F.pdf | |
![]() | EP1K40RC208-3 | EP1K40RC208-3 ALTERA QFP | EP1K40RC208-3.pdf | |
![]() | ANI45F8737 | ANI45F8737 PANASONI DIP | ANI45F8737.pdf |