창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V175LS10AP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | LA Varistor Series | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | LS | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 243V | |
배리스터 전압(통상) | 270V | |
배리스터 전압(최대) | 297V | |
전류 - 서지 | 4.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 175VAC | |
최대 DC 전압 | 225VDC | |
에너지 | 55J | |
패키지/케이스 | 14mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V175LS10AP | |
관련 링크 | V175LS, V175LS10AP 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
FA-238V 12.0000MF10V-A3 | 12MHz ±10ppm 수정 12.5pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 12.0000MF10V-A3.pdf | ||
A4N64 | A4N64 AGILENT DIP | A4N64.pdf | ||
LFEC10E-3F256C | LFEC10E-3F256C Lattice SMD or Through Hole | LFEC10E-3F256C.pdf | ||
PLA10AS3021R3R2M | PLA10AS3021R3R2M MURATA DIP-4 | PLA10AS3021R3R2M.pdf | ||
GTD02-06 | GTD02-06 FUJI SMD or Through Hole | GTD02-06.pdf | ||
AIC1084-33GETR | AIC1084-33GETR AIC TO-252 | AIC1084-33GETR.pdf | ||
2PB710AS(SOT23) | 2PB710AS(SOT23) NXP SMD or Through Hole | 2PB710AS(SOT23).pdf | ||
BP-2611K | BP-2611K N/A SMD or Through Hole | BP-2611K.pdf | ||
GHCP5015 | GHCP5015 ORIGINAL SMD or Through Hole | GHCP5015.pdf | ||
LQLB1608T1R0M | LQLB1608T1R0M TAIYO SMD | LQLB1608T1R0M.pdf | ||
K4S561632N-LC75- | K4S561632N-LC75- ORIGINAL TSOP54 | K4S561632N-LC75-.pdf |