창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-V150ZT8PX2855 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Littelfuse Inc. | |
| 계열 | ZT | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 배리스터 전압 | 135V | |
| 배리스터 전압(통상) | 150V | |
| 배리스터 전압(최대) | 165V | |
| 전류 - 서지 | 4.5kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 95VAC | |
| 최대 DC 전압 | 127VDC | |
| 에너지 | 20J | |
| 패키지/케이스 | 14mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | V150ZT8PX2855 | |
| 관련 링크 | V150ZT8, V150ZT8PX2855 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1001CI5-150.0000T | 150MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 12.2mA Standby (Power Down) | DSC1001CI5-150.0000T.pdf | |
![]() | IMC1210BN101J | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 73mA 14 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BN101J.pdf | |
![]() | R15NPO101J5HT10Y | R15NPO101J5HT10Y DURAN SMD or Through Hole | R15NPO101J5HT10Y.pdf | |
![]() | ISP1161A1BP | ISP1161A1BP ST QFP | ISP1161A1BP.pdf | |
![]() | MJD350T4-TR | MJD350T4-TR ST SOT-252 | MJD350T4-TR.pdf | |
![]() | OPA4227UA PBF | OPA4227UA PBF TI/BB SMD or Through Hole | OPA4227UA PBF.pdf | |
![]() | MAX428CPA | MAX428CPA MAX DIP-8 | MAX428CPA.pdf | |
![]() | UC3834QG3 | UC3834QG3 TexasInstruments SMD or Through Hole | UC3834QG3.pdf | |
![]() | TZMC3V0GS08 | TZMC3V0GS08 tfk SMD or Through Hole | TZMC3V0GS08.pdf | |
![]() | SN74S260J | SN74S260J TI SMD or Through Hole | SN74S260J.pdf | |
![]() | HYS64T32000HU-3.7 | HYS64T32000HU-3.7 Infineon SMD or Through Hole | HYS64T32000HU-3.7.pdf | |
![]() | OJE-SS-112LMH-000 | OJE-SS-112LMH-000 OEG DIP | OJE-SS-112LMH-000.pdf |