창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V150RA8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RA Varistor Series | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Littelfuse Inc. | |
계열 | RA | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 135V | |
배리스터 전압(통상) | 150V | |
배리스터 전압(최대) | 165V | |
전류 - 서지 | 1.2kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 95VAC | |
최대 DC 전압 | 127VDC | |
에너지 | 8.0J | |
패키지/케이스 | 방사형, 박스 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V150RA8 | |
관련 링크 | V150, V150RA8 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 |
445A3XB24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XB24M57600.pdf | ||
MRS25000C3303FCT00 | RES 330K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C3303FCT00.pdf | ||
TWW10J8R2E | RES 8.2 OHM 10W 5% RADIAL | TWW10J8R2E.pdf | ||
SES1Z5V | SES1Z5V SINO-IC SMD or Through Hole | SES1Z5V.pdf | ||
D65022R | D65022R ORIGINAL PGA | D65022R.pdf | ||
FTM9412SK10EG | FTM9412SK10EG UTS TRANS | FTM9412SK10EG.pdf | ||
RQ5RW25BA-TR-F | RQ5RW25BA-TR-F RICOH SC-82AB | RQ5RW25BA-TR-F.pdf | ||
SC1302AIS | SC1302AIS SEMTECH SMD or Through Hole | SC1302AIS.pdf | ||
TMS320C6416ZLZ1 | TMS320C6416ZLZ1 TI FCBGA532 | TMS320C6416ZLZ1.pdf | ||
3ZXO-0207 | 3ZXO-0207 TOYOCOM SMD or Through Hole | 3ZXO-0207.pdf | ||
OP432H | OP432H ANA SOIC | OP432H.pdf | ||
HE804EN29Y | HE804EN29Y KOA SOT-163 | HE804EN29Y.pdf |