창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-V12P10HM3/86A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | V12P10 Packaging Information | |
제품 교육 모듈 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers | |
PCN 부품 상태 변경 | Plating Chg to TMBS Dev 17/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | eSMP®, TMBS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 -평균 정류(Io) | 12A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 12A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 250µA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-277, 3-PowerDFN | |
공급 장치 패키지 | TO-277A(SMPC) | |
작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | V12P10HM3/86A-ND V12P10HM3/86AGITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | V12P10HM3/86A | |
관련 링크 | V12P10H, V12P10HM3/86A 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SD5000N. | SD5000N. ORIGINAL DIP | SD5000N..pdf | ||
TLC8101IPWR | TLC8101IPWR TEXASINSTRUMENTS original pack | TLC8101IPWR.pdf | ||
STM32F100C8T6B Kemota | STM32F100C8T6B Kemota ST QFP48 | STM32F100C8T6B Kemota.pdf | ||
ALD555PAL | ALD555PAL ALD DIP8 | ALD555PAL.pdf | ||
PWR1104 | PWR1104 BB/TI SMD or Through Hole | PWR1104.pdf | ||
SL1TTEF10m | SL1TTEF10m KOA 6-6W3-2 1K | SL1TTEF10m.pdf | ||
RMC1/10 7.5K1%R | RMC1/10 7.5K1%R SEI SMD or Through Hole | RMC1/10 7.5K1%R.pdf | ||
BYW98-200 T/B | BYW98-200 T/B ST SMD or Through Hole | BYW98-200 T/B.pdf | ||
S-90P0332SUA-TF | S-90P0332SUA-TF SEIKO SOT-89 | S-90P0332SUA-TF.pdf | ||
BCV26. | BCV26. SIEMINS SOT23 | BCV26..pdf | ||
TLV342IDE4 | TLV342IDE4 TI SOIC | TLV342IDE4.pdf |