창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UUD1E680MCL1GS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UUD Series Chip Type Tape Spec Aluminum Electrolytic Land, Reflow | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1969 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | UUD | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 68µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 25V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 분극 | - | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 230mA | |
| 임피던스 | 440m옴 | |
| 리드 간격 | - | |
| 크기/치수 | 0.248" Dia(6.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.228"(5.80mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | 0.260" L x 0.260" W(6.60mm x 6.60mm) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 493-2275-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UUD1E680MCL1GS | |
| 관련 링크 | UUD1E680, UUD1E680MCL1GS 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
![]() | B32521N8153J189 | 0.015µF Film Capacitor 200V 630V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized Radial | B32521N8153J189.pdf | |
![]() | SIT8208AI-8F-33E-12.800000T | OSC XO 3.3V 12.8MHZ OE | SIT8208AI-8F-33E-12.800000T.pdf | |
![]() | RNF14FTD698K | RES 698K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD698K.pdf | |
![]() | MRS25000C5112FC100 | RES 51.1K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C5112FC100.pdf | |
![]() | RNF14BAE261R | RES 261 OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE261R.pdf | |
![]() | 0603-050 | 0603-050 AEM SMD or Through Hole | 0603-050.pdf | |
![]() | PL-P003-1W | PL-P003-1W ORIGINAL SMD or Through Hole | PL-P003-1W.pdf | |
![]() | DS96F172MJ. | DS96F172MJ. NSC CDIP16 | DS96F172MJ..pdf | |
![]() | ERJ12Y0R00H | ERJ12Y0R00H PANASONIC SMD or Through Hole | ERJ12Y0R00H.pdf | |
![]() | DCR011203 | DCR011203 TI 10PDIP 12SOP | DCR011203.pdf | |
![]() | DCE30-35 | DCE30-35 ORIGINAL DIP14 | DCE30-35.pdf | |
![]() | 474J400V | 474J400V ORIGINAL SMD or Through Hole | 474J400V.pdf |