- USH1H010MED1TD
- 제조업체 부품 번호
- USH1H010MED1TD
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 2
- 간단한 설명
- USH1H010MED1TD NICHICON DIP
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
USH1H010MED1TD 가격 및 조달
가능 수량
29080 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 USH1H010MED1TD 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. USH1H010MED1TD 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. USH1H010MED1TD가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- USH1H010MED1TD 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
USH1H010MED1TD 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-USH1H010MED1TD | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | USH1H010MED1TD | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | USH1H010MED1TD | |
| 관련 링크 | USH1H010, USH1H010MED1TD 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
USH1H010MED1TD 의 관련 제품
 | B32653A8103K | 10000pF Film Capacitor 1000V (1kV) 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.413" W (26.50mm x 10.50mm) | B32653A8103K.pdf | |
| B80K250 | VARISTOR 390V 100KA CHASSIS | B80K250.pdf | |
.jpg) | AA2010JK-0782KL | RES SMD 82K OHM 5% 3/4W 2010 | AA2010JK-0782KL.pdf | |
| P51-2000-A-U-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-A-U-I12-4.5OVP-000-000.pdf | |
| TC54VN5802EMB713 | TC54VN5802EMB713 MICROCHIP SMD or Through Hole | TC54VN5802EMB713.pdf | |
| TAS5424ATDKDRMQ1G4 | TAS5424ATDKDRMQ1G4 IC IC | TAS5424ATDKDRMQ1G4.pdf | |
| RTD2132S-VE-CG | RTD2132S-VE-CG REALTEK ORIGIANL | RTD2132S-VE-CG.pdf | |
| FC80960HA40 (Q 840) | FC80960HA40 (Q 840) INTEL QFP | FC80960HA40 (Q 840).pdf | |
| 1SMB611CAT3G | 1SMB611CAT3G ON SMD or Through Hole | 1SMB611CAT3G.pdf | |
| K6T1008C2C-DB70L | K6T1008C2C-DB70L SAMSUNG DIP | K6T1008C2C-DB70L.pdf | |
| MAX6133AASA50 | MAX6133AASA50 MAX Call | MAX6133AASA50.pdf |