창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-USB50405CE3/TR7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | USB50403C-USB50424C,e3 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V | |
| 전압 - 항복(최소) | 6V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 13V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 5A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 500W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 이더넷 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 3pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | USB50405CE3/TR7-ND USB50405CE3/TR7TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | USB50405CE3/TR7 | |
| 관련 링크 | USB50405C, USB50405CE3/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | NLV32T-2R7J-EF | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 1.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-2R7J-EF.pdf | |
![]() | 2512R-392G | 3.9µH Unshielded Inductor 702mA 820 mOhm Max 2-SMD | 2512R-392G.pdf | |
![]() | RMCF1206FT48K7 | RES SMD 48.7K OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT48K7.pdf | |
![]() | CS493263CL | CS493263CL MAXIM PLCC | CS493263CL.pdf | |
![]() | 2SC3356(R25) | 2SC3356(R25) NEC SOT-23 | 2SC3356(R25).pdf | |
![]() | 305-031-11-00 | 305-031-11-00 KARSON SMD or Through Hole | 305-031-11-00.pdf | |
![]() | 18FHZ-RSM1-TB | 18FHZ-RSM1-TB JST SMD or Through Hole | 18FHZ-RSM1-TB.pdf | |
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![]() | VIAC3-1.3AGHZ | VIAC3-1.3AGHZ VIA BGA | VIAC3-1.3AGHZ.pdf | |
![]() | 216Q9NABGA12FH(MOBILITY9000-32M) | 216Q9NABGA12FH(MOBILITY9000-32M) ATI BGA | 216Q9NABGA12FH(MOBILITY9000-32M).pdf | |
![]() | LA6358NM-TP-T | LA6358NM-TP-T SONY SOP8 | LA6358NM-TP-T.pdf | |
![]() | NAS5W-K-B05- | NAS5W-K-B05- ORIGINAL SMD or Through Hole | NAS5W-K-B05-.pdf |