창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-USB100N18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | USB100N18 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | USB100N18 | |
관련 링크 | USB10, USB100N18 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | ABM3B-26.000MHZ-B-4-Y-T | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3B-26.000MHZ-B-4-Y-T.pdf | |
![]() | RG2012P-1400-D-T5 | RES SMD 140 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-1400-D-T5.pdf | |
![]() | NJM2207M NJM2264M NJM2264D NJM2267M NJM2568V | NJM2207M NJM2264M NJM2264D NJM2267M NJM2568V JRC SMD or Through Hole | NJM2207M NJM2264M NJM2264D NJM2267M NJM2568V.pdf | |
![]() | QG80003ES2QJ90ES | QG80003ES2QJ90ES INTEL BGA | QG80003ES2QJ90ES.pdf | |
![]() | DT72003 | DT72003 ORIGINAL DIP | DT72003.pdf | |
![]() | M37202M3-670SP=IX1830CEZZ | M37202M3-670SP=IX1830CEZZ MIT DIP-64 | M37202M3-670SP=IX1830CEZZ.pdf | |
![]() | 216T9NAAGA12FH M9-CSP64 | 216T9NAAGA12FH M9-CSP64 ATI BGA | 216T9NAAGA12FH M9-CSP64.pdf | |
![]() | MAX350CAP/BCAP | MAX350CAP/BCAP MAX SMD or Through Hole | MAX350CAP/BCAP.pdf | |
![]() | FCH10U20 | FCH10U20 NIEC SMD or Through Hole | FCH10U20.pdf | |
![]() | 82-004 | 82-004 ORIGINAL SMD or Through Hole | 82-004.pdf | |
![]() | MAX353ESE-T | MAX353ESE-T MAX SOP3.9 | MAX353ESE-T.pdf | |
![]() | PHB10N40T | PHB10N40T NXP TO-263 | PHB10N40T.pdf |