창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-USA1H4R7MDD1TP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | USA, USR Series Lead Type Taping Spec | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | USA | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 정전 용량 | 4.7µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 50V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 29mA | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.315"(8.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | USA1H4R7MDD1TP | |
| 관련 링크 | USA1H4R7, USA1H4R7MDD1TP 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1H3R3CA01D | 3.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H3R3CA01D.pdf | |
![]() | ASVMPC-133.333MHZ-T3 | 133.333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASVMPC-133.333MHZ-T3.pdf | |
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![]() | IM6402A1MDL | IM6402A1MDL INTERSIL CDIP40 | IM6402A1MDL.pdf | |
![]() | K6R4008C1D-JL10 | K6R4008C1D-JL10 SAMSUNG SOJ | K6R4008C1D-JL10.pdf | |
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![]() | OB2353LCP | OB2353LCP LITE-ON SOP-8 | OB2353LCP.pdf | |
![]() | SXH80-75X | SXH80-75X SURGING SMD or Through Hole | SXH80-75X.pdf | |
![]() | R360/R350 ATI9800 | R360/R350 ATI9800 ATI BGA | R360/R350 ATI9800.pdf | |
![]() | TC1185-1.8VCT713(NY) | TC1185-1.8VCT713(NY) MICROCHIP SOT23-5P | TC1185-1.8VCT713(NY).pdf | |
![]() | K9WAG08U1DSIB0T | K9WAG08U1DSIB0T SAM SMD or Through Hole | K9WAG08U1DSIB0T.pdf |