창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-US6U37TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | US6U37 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 80pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | US6U37TR | |
| 관련 링크 | US6U, US6U37TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECE-A1EN471UB | 470µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | ECE-A1EN471UB.pdf | |
![]() | 199D225X9016A6B1E3 | 2.2µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V Radial 0.173" Dia (4.40mm) | 199D225X9016A6B1E3.pdf | |
![]() | SIT8918BE-12-33E-10.000000E | OSC XO 3.3V 10MHZ OE | SIT8918BE-12-33E-10.000000E.pdf | |
![]() | 145602020000829 | 145602020000829 N SMD or Through Hole | 145602020000829.pdf | |
![]() | L42005400100 | L42005400100 NEC PLCC | L42005400100.pdf | |
![]() | UPD784020GC | UPD784020GC NEC SMD or Through Hole | UPD784020GC.pdf | |
![]() | 87C196KC20 | 87C196KC20 ORIGINAL PLCC | 87C196KC20.pdf | |
![]() | S-8211CAB-I6T1G | S-8211CAB-I6T1G SEIKO SNT-6A | S-8211CAB-I6T1G.pdf | |
![]() | C3225X5R1C475K | C3225X5R1C475K TDK SMD or Through Hole | C3225X5R1C475K.pdf | |
![]() | 1680F | 1680F ORIGINAL QFN-16 | 1680F.pdf | |
![]() | IDT72294L-20PF | IDT72294L-20PF IDT SMD or Through Hole | IDT72294L-20PF.pdf | |
![]() | K66A | K66A ORIGINAL DFN-10 | K66A.pdf |