창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-URS1J221MHD1TO | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | URS Series Lead Type Taping Spec | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | URS | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 정전 용량 | 220µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 63V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 490mA @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.492" Dia(12.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.551"(14.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 493-12011-3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | URS1J221MHD1TO | |
| 관련 링크 | URS1J221, URS1J221MHD1TO 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
![]() | UUN1H101MNQ1ZD | 100µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | UUN1H101MNQ1ZD.pdf | |
![]() | 2225HA681JATME | 680pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225HA681JATME.pdf | |
![]() | 445W31F30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 24pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W31F30M00000.pdf | |
![]() | D629N4800 | D629N4800 AEG MODULE | D629N4800.pdf | |
![]() | 74LVC2G157DC | 74LVC2G157DC NXP/PHILIPS VSSOP8 | 74LVC2G157DC.pdf | |
![]() | B45197A4107K509L1 | B45197A4107K509L1 EPCOS SMD or Through Hole | B45197A4107K509L1.pdf | |
![]() | RD82MT1B | RD82MT1B nec SMD or Through Hole | RD82MT1B.pdf | |
![]() | HB-TGD017 | HB-TGD017 ORIGINAL SMD or Through Hole | HB-TGD017.pdf | |
![]() | CN-125 | CN-125 ORIGINAL SMD or Through Hole | CN-125.pdf | |
![]() | AD8034ARTZ-REEL (REEL=10000/REEL) | AD8034ARTZ-REEL (REEL=10000/REEL) ADI SMD or Through Hole | AD8034ARTZ-REEL (REEL=10000/REEL).pdf | |
![]() | MAX3205EABL+ | MAX3205EABL+ MAXIM UCSP | MAX3205EABL+.pdf | |
![]() | CC0805ZKY5V7BB105 | CC0805ZKY5V7BB105 ORIGINAL SMD or Through Hole | CC0805ZKY5V7BB105.pdf |