창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UPT28/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UPT(B) 5-48 Series | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 28V | |
| 전압 - 항복(최소) | 31V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 47.8V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 3.13A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 1000W(1kW) | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | Powermite 1(DO216-AA) | |
| 표준 포장 | 12,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UPT28/TR13 | |
| 관련 링크 | UPT28/, UPT28/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C4532C0G2A473J200KA | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C4532C0G2A473J200KA.pdf | |
| LQH43NN330K03L | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 270mA 1.2 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43NN330K03L.pdf | ||
![]() | LQP02HQ2N9C02E | 2.9nH Unshielded Thin Film Inductor 450mA 200 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02HQ2N9C02E.pdf | |
![]() | L79M05TL | L79M05TL TOSHIBA SOT252 | L79M05TL.pdf | |
![]() | MT54W512H36JF-4 | MT54W512H36JF-4 MICRON BGA | MT54W512H36JF-4.pdf | |
![]() | VP21453-1 | VP21453-1 VLSI BGA | VP21453-1.pdf | |
![]() | COP420 | COP420 NS DIP | COP420.pdf | |
![]() | q65110-a1378-t2 | q65110-a1378-t2 signal SMD or Through Hole | q65110-a1378-t2.pdf | |
![]() | 216TDGAGA22FH(M24) | 216TDGAGA22FH(M24) ATI BGA | 216TDGAGA22FH(M24).pdf | |
![]() | CMI201212J220KT | CMI201212J220KT HF SMD or Through Hole | CMI201212J220KT.pdf | |
![]() | UDZS5.1A | UDZS5.1A ROHM SOD323 | UDZS5.1A.pdf | |
![]() | DEMA-9P-F0 | DEMA-9P-F0 ITTCannon SMD or Through Hole | DEMA-9P-F0.pdf |