창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-UPP1004E3/TR7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | UPP100x | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWERMITE® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 100V | |
전류 - 최대 | - | |
정전 용량 @ Vr, F | 1.6pF @ 100V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 1옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 2.5W | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | UPP1004E3/TR7 | |
관련 링크 | UPP1004, UPP1004E3/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
08051J3R9CBTTR | 3.9pF Thin Film Capacitor 100V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08051J3R9CBTTR.pdf | ||
ABM8G-14.7456MHZ-B4Y-T3 | 14.7456MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-14.7456MHZ-B4Y-T3.pdf | ||
BSL307SPT | MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP | BSL307SPT.pdf | ||
1110-2R7M-RC | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 9A 5 mOhm Max Radial | 1110-2R7M-RC.pdf | ||
4N33SR2M | Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N33SR2M.pdf | ||
IS42S16320B-75ETLI | IS42S16320B-75ETLI ISSI SMD or Through Hole | IS42S16320B-75ETLI.pdf | ||
L2006L5 | L2006L5 TECCOR TO-220 | L2006L5.pdf | ||
SIB8132 | SIB8132 OTHERS SMD or Through Hole | SIB8132.pdf | ||
QLMP-U899-N0000 | QLMP-U899-N0000 AVAGO ROHS | QLMP-U899-N0000.pdf | ||
V0U1635N30KRA | V0U1635N30KRA SAMSUNG SMD or Through Hole | V0U1635N30KRA.pdf | ||
CXT01-18238-R | CXT01-18238-R COOPER SMD or Through Hole | CXT01-18238-R.pdf | ||
HA2038 | HA2038 MAXIM QFN | HA2038.pdf |