창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-UPD65070GD-149-5BB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | UPD65070GD-149-5BB | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | QFP120 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | UPD65070GD-149-5BB | |
관련 링크 | UPD65070GD, UPD65070GD-149-5BB 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | 3KP8.5C-B | TVS DIODE 8.5VWM 15.12VC P600 | 3KP8.5C-B.pdf | |
![]() | RLB0712-331KL | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.1 Ohm Max Radial | RLB0712-331KL.pdf | |
![]() | 48151SC | 150µH Shielded Wirewound Inductor 1.35A 280 mOhm Max Nonstandard | 48151SC.pdf | |
![]() | PHP00805H5361BST1 | RES SMD 5.36K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H5361BST1.pdf | |
![]() | Y001312K9800V9L | RES 12.98K OHM 2W 0.005% RADIAL | Y001312K9800V9L.pdf | |
![]() | 5N2008(H5N2008P-E) | 5N2008(H5N2008P-E) RENESAS SMD or Through Hole | 5N2008(H5N2008P-E).pdf | |
![]() | CS6N60A4H-BD | CS6N60A4H-BD CS SMD or Through Hole | CS6N60A4H-BD.pdf | |
![]() | L6211256B | L6211256B INTEL PLCC-44P | L6211256B.pdf | |
![]() | TN87C51FA1 | TN87C51FA1 INTEL POCK-44 | TN87C51FA1.pdf | |
![]() | 8-1393243-2 | 8-1393243-2 TEConnectivity SMD or Through Hole | 8-1393243-2.pdf | |
![]() | CXA1113AS #T | CXA1113AS #T ORIGINAL IC | CXA1113AS #T.pdf | |
![]() | CI0068.00 | CI0068.00 MRT QFP2828-160 | CI0068.00.pdf |